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  3. 刻蚀 - 维基百科,自由的百科全书

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    刻蚀,是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 刻蚀的基本目的,是在涂胶 (或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形。 刻蚀,通常是在光刻工艺之后进行。 我们通常通过刻蚀,在光刻工艺之后,将想要的图形留在硅片上。 从这一角度而言,刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。 在通常的刻蚀过程中,有图形的光刻胶层〔或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀,可作为掩蔽膜,保护硅片上的部分特殊区域,而未被光刻胶保护的区域,则被选择性的刻蚀掉。 1.2干法刻蚀与湿法刻蚀 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。
    刻蚀工艺包括八个步骤:ISO、BG、BLC、GBL、SNC、M0、SN和MLM。 首先,ISO(Isolation)阶段进行晶圆上的硅(Si)蚀刻(Etch),创建有源单元区。 BG(Buried Gate)阶段形成行地址线路(Word Line) 1 和栅极,打造电子通道。
    干蚀刻是一种各向异性蚀刻,具有良好的方向性,但选择性比湿蚀刻差。 在等离子体蚀刻中,等离子体是一种部分离解的气体,气体分子被离解成电子、离子和其他具有高化学活性的物质。 干蚀刻最大的优点是“ 各向异性蚀刻 ”。 然而,(自由基)干蚀刻的选择性低于湿蚀刻。 这是因为干蚀刻的蚀刻机理是物理相互作用;因此,离子的冲击不仅可以去除蚀刻膜,还可以去除光刻胶掩模。
    由于刻蚀的核心还是化学反应,因此刻蚀的效果和湿法刻蚀有些相近,具有较好的选择性,但各向异性较差。 根据等离子体产生方式分为ICP感应耦合等离子体(inductively coupled plasma),CCP容性耦合等离子体(capacitively coupled plasma),ECR微波电子回旋共振等离子体(microwave electron cyclotron resonance).
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