GaAs

网络砷化镓；砷化钾；砷化稼

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1.	砷化镓砷化镓（gaas）iii-v化合物电池的转换效率可达28%，gaas化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能 … wenba.ddmap.com\|基于8150个网页
2.	砷化钾有砷化钾（gaas），砷化铟（inas），锑化铟（insn），铝化镓（gaalas）等，输出波长大都在可见光的长波到近红外之间，医 … www.opticsjournal.net\|基于222个网页
3.	砷化稼如用砷化稼(GaAs)单晶作基体，从以稼(Ga)为溶剂、砷(As)为溶质的饱和溶液中生长 GaAs外延层。其特点是设备简单，纯度 … www.chinabaike.com\|基于155个网页

4.	镓砷化物霍尔发生器由一片薄传导材料制成，如镓砷化物(GaAs)，这种材料在使用期间能够实现可靠稳定的性能。在5 mA的控制电流下… mcukf.com\|基于111个网页
5.	砷化镓单晶 1962年，天津制造出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1963-1964年，河北省半导体研究所 … www.docin.com\|基于43个网页

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全部全部,砷化镓砷化镓,砷化钾砷化钾,砷化稼砷化稼

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1.

GaAs FET Oscillator stabilized by a dielectric resonator with a feedback loop has been developed.

本文介绍了一种环路反馈式场效应管介质稳频振荡器。

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2.

when the feed rate is larger, line speed on the surface have little effect on the roughness of GaAs films . 2.

当进给速度较大时提高线速度对单晶砷化镓片的表面粗糙度影响不大。

3.

The design of the broadband GaAs PHEMT monolithic true -time delay was described .

简要介绍了实时延迟线电路的基本概念，对电路设计流程进行了阐述。

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4.

In this paper , a small Hall current sensor made from a GaAs Hall component is introduced .

介绍了一种利用砷化镓霍尔元件设计的微型霍尔电流传感器。

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5.

With the progress of the CMOS process , the CMOS RF process can compare with the traditional RF process like Bipolar , GaAs and so on.

随着 CMOS 工艺的不断进步，CMOS 射频工艺和传统的射频工艺如双极型工艺、GaAs 工艺等有了可比性。

7.

Commercial GaAs epitaxial layers are of good enough quality that losses due to material and interface perturbations are negligible

市售 GaAs 外延层的质量相当高，故其材料和界面起伏引起的损耗可忽略不计。

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8.

GaAs semiconductor Generator rotator Temperature measuring system ;

砷化镓半导体；发电机转子；测温系统；

joa.csee.org.cn

9.

gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor(GaAs MESFET)

砷化镓金属化半导体场效应晶体管

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10.

Theoretical Analysis of Gain and Threshold Current Density for Long Wavelength GaAs-Based Quantum-Dot Lasers

GaAs 基长波长量子点激光器增益和阈值电流密度的理论分析

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