PHEMT

  • Web高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor);赝配高电子迁移率晶体管;假晶高电子迁移率晶体管
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高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct- write 0.25 µm by 3000 µm Schott...
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赝配高电子迁移率晶体管
1 前言赝配高电子迁移率晶体管(phemt)被公认为是微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件,不仅具有比mesfet更低的噪声…
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假晶高电子迁移率晶体管
单电压源假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件及制造方法单电压源假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件及制造方法 您好, …
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电子迁移率电晶体
...异质介面双极电晶体 (GaAs HBT),假型高速电子迁移率电晶体 (pHEMT),整合性被动元件 (IPD) 以及砷化镓高效率聚光型太阳能 (CPV…
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高电子迁移率电晶体
...LD)、砷化镓异质介面双极电晶体(HBT)与应变式高电子迁移率电晶体PHEMT)磊晶片等生产为主,目前LD比重占40﹪,HBT与…
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高迁移率电晶体
...异质接面双极性电晶体(HBT),二、应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT),三、金属半导体场效电晶体(MESFET)。
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假型高速电子移动电晶体
...(HBT)、金属半导体场效电晶体(MESFET)和假型高速电子移动电晶体(pHEMT)制程技术中,因为HBT具有可单电源电路设计、良好的功 …
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