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gate electrode
美
英
un.
栅电极
网络
门电极;栅极;闸极
英汉
网络释义
un.
1.
栅电极
1.
栅电极
医学翻译词汇八 ... gate ① 闸门,阀门 ②槽,座
gate electrode
门电极,
栅电极
gauge ① 量计,测量仪器 ②规格,尺度 ...
www.diyifanwen.com
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2.
门电极
医学翻译词汇八 ... gate ① 闸门,阀门 ②槽,座
gate electrode
门电极
,栅电极 gauge ① 量计,测量仪器 ②规格,尺度 ...
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|
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3.
栅极
栅极
(
gate electrode
)gate,门的意思,中文翻译做栅,栅栏。electrode,电极。
zhidao.baidu.com
|
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4.
闸极
当
闸极
(
Gate Electrode
)长度也因此变短时,其下方的电流通道也会跟着被缩短,虽然这是元件缩小化的结果,但是通道的尺 …
www.airitilibrary.com
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5.
闸极电极
3.1
闸极电极
(
GATE ELECTRODE
)............42 3.1.1 Al..................................43 3.1.2 多晶矽(Poly-Si)...43 3.1.3 Po...
etds.lib.ncku.edu.tw
|
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6.
闸电极
...) 及8-17(b) 。 [63-67] 8-3
闸电极
(
Gate Electrode
) 8-3-1 金属闸电极 低电阻值的金属, 很早就被采用为金氧半场效电晶体(Met…
www.docin.com
|
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7.
低阻闸电极
# H) r, ?8 _0 o, S8 d" {- {. V(3)
低阻闸电极
(
Gate Electrode
), 4 v( ~- w6 Y' G2 H' u8 D7 d(4)元件间连线 (Interconnect)。 3 ?/...
www.2ic.cn
|
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8.
低阻闸极
...ottky Barrier Contact)2-3
低阻闸极
(
Gate Electrode
)2-4组件间通路(Interconnect)在VLSI(超大规模集成电路)时代中…
www.2ic.cn
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例句
释义:
全部
全部
,
栅电极
栅电极
,
门电极
门电极
,
栅极
栅极
,
闸极
闸极
类别:
全部
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,
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口语
,
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,
标题
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,
技术
技术
来源:
全部
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,
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字典
,
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全部
全部
,
简单
简单
,
中等
中等
,
难
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1.
A
first
conductive
impurity
ion
is
implanted
into a
semiconductor
substrate
to
form
a well area on which a
gate
electrode
is formed
.
向
半导体
衬底
中
注入
第一
导电
杂质
离子
,
由此
形成
阱
区
,
其
上
再
形成
栅极
。
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2.
Most
of
the
radiation
is
not
energetic
enough
to
penetrate
the
gate
electrode
,
so
damage
is
confined
to the
periphery
of that
electrode
.
大多数
辐射
没有
足够
的
能量
来
穿透
栅
电极
,
因此
,
损伤
被
限制
在
电极
的
周围
。
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3.
The one
gate
insulating
layer
may be interposed
between
the
common
gate
electrode
and
the one
pair
of
fins
of the
semiconductor
substrate
.
栅极
绝缘
层
置于
所
述
公共
栅极
电极
和
所
述
半导体
衬底
的
所
述
鳍
对
之间
。
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4.
So
the
name
of
a
process
became
identified with the
width
of the
gate
electrode
.
所以
,
制
程
的
名字
就
用来
标识
闸
电极
的
宽度
。
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5.
A
gate
electrode
is disposed
in
the
gate
trench over but
insulated
from the
at least
one
conductive
shield
electrode
.
置于
所
述
至少
一个
导电
保护
电极
之上
但是
与
所
述
导电
保护
电极
隔离
开
的
栅极
;
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6.
A
source
region
and
a
drain
region
are
formed
in
the
fin
at the
opposite
sides
of
the
gate
electrode
.
源
区
和
漏
区
形成
在
鳍
部
内
栅极
的
相对
侧
处
。
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7.
The
gate
electrode
is
located
vertically
over
the
channel
portion
and
portions
of the
source
and
drain
electrodes
.
该
栅
电极
置
为
垂直
地
位于
该
沟
道
部
以及
该
源
电极
和
漏电
极
的
部分
的
上方
。
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8.
In
practical
terms
,
this
smallest
feature
was almost
always
the
line
that
defined
the
gate
electrode
on the MOS
transistor
.
实际
中
,
这个
特性
总是
用来
定义
MOS
晶体管
的
闸
极
电极
走
线
。
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9.
Following
,
forms
dielectric
layer
on
the
base
board
,
and the
gate
dielectric
layer
covers
the
gate
electrode
.
接着
,
在
基
板上
形成
栅
介
电
层
,
且
栅
介
电
层
覆盖
栅极
。
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10.
Each
gate
-
electrode
layer
is
connected
with
a
respective
separate
gate
contact
(
154
,
156
)
.
每
一个
栅
电极
层
与
分开
的
栅
接触
极
(
154,156
)
相连
。
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