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hvpe
美
英
n.
高压纸电泳
网络
氢化物气相外延;氢化物汽相外延(hydride vapor phase epitaxy);氢化物汽相外延片
英汉
网络释义
n.
1.
高压纸电泳
1.
氢化物气相外延
在
氢化物气相外延
(
HVPE
)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法,并且讨 …
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2.
氢化物汽相外延(hydride vapor phase epitaxy)
目前主要研究领域包括两个方面,一是
氢化物汽相外延
(
HVPE
)方法的GaN衬底材料制备以及HVPE设备研制,二是石墨烯薄 …
sourcedb.cas.cn
|
基于132个网页
3.
氢化物汽相外延片
...技术主要有以下几种:1.改进两 步法生长工艺;2.
氢化物汽相外延片
(
hvpe
)技术 ;3.选择性外延片生长或侧向外 延片生长技 …
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|
基于44个网页
4.
卤化物汽相外延(halide vapor phase epitaxy)
...(PCVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、
卤化物汽相外延
(
HVPE
)、分子束外延(MBE)、原子束外延(ALE)、液相生长 …
www.03964.com
|
基于13个网页
5.
氢化物气相外延生长
氢化物气相外延生长
(
HVPE
)的生长 速率显著加快,尽管其非常适合厚GaN缓冲层的生长,却并不适合薄纳米层和InGaN 合 …
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例句
释义:
全部
全部
,
高压纸电泳
高压纸电泳
,
氢化物气相外延
氢化物气相外延
,
氢化物汽相外延片
氢化物汽相外延片
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全部
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技术
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来源:
全部
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网络
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全部
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简单
简单
,
中等
中等
,
难
难
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1.
Further
growth
of
continuous
compound
semiconductor
thick
films
(
15
)
or
wafer
is
achieved
by
epitaxial
lateral
overgrowth
using
HVPE
.
通过
使用
HVPE
的
外延
横向
过
生长
实现
连续
的
化合物
半导体
厚
膜
(
15
)
或
晶片
的
进一步
的
生长
。
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