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笔记本
metal-oxide
美
英
n.
金属氧化物
网络
金属氧化物材料;金属氧化膜;金属绝缘膜
英汉
网络释义
n.
1.
金属氧化物
1.
金属氧化物材料
以往光电产业中最关键的「
金属氧化物材料
」(
metal-oxide
)镀膜制程,必须在真空、高温500度以上且剧毒的环境进行,难以 …
www.itri.org.tw
|
基于42个网页
2.
金属氧化膜
...整个电阻的表面积则可决定其耐功 率值。
金属氧化膜
(
metal-oxide
)电阻:阻值较绕线式电阻高,而功率较碳膜 电阻高,且 …
ja.scribd.com
|
基于2个网页
3.
金属绝缘膜
... 6. Electronic Line Printer, 电子行式印刷装置
metal-oxide
金属氧化物;
金属绝缘膜
metal oxide 金属氧化物;金属绝缘膜 ...
www.nciku.cn
|
基于 1 个网页
例句
释义:
全部
全部
,
金属氧化物
金属氧化物
,
金属氧化物材料
金属氧化物材料
,
金属氧化膜
金属氧化膜
,
金属绝缘膜
金属绝缘膜
类别:
全部
全部
,
口语
口语
,
书面语
书面语
,
标题
标题
,
技术
技术
来源:
全部
全部
,
字典
字典
,
网络
网络
难度:
全部
全部
,
简单
简单
,
中等
中等
,
难
难
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1.
The
invention
provides
a
resistivity
switching
metal
oxide
or
nitride
layer
capable
of
reaching
at least
two
stable
resistivity states
.
本
发明
提供
一种
可
达到
至少
两个
稳定
的
电阻
率
状态
的
电阻
率
切换
金属
氧化物
或
氮化
物
层
。
ip.com
2.
Thermite is
aluminum
powder
and
a
metal
oxide
which
produces
an aluminothermic
reaction
known
as
a
thermite
reaction
.
铝
热
是
铝
粉
,
一种
金属
氧化剂
,
能
产生
我们
所谓
的
铝
热
反应
。
www.elanso.com
3.
In
addition
,
it
was
found
that
the
metal
oxide
could
be
repeatedly
used
up to
5
cycles
without
any significant loss in its
surface
activity
.
经
测试
后
显示
,
研究
中
所
使用
的
金
属
氧化物
可
重复
使用
五
次
,
且
金
属
的
表面
活性
并
不
会
被
降
低
。
www.etop.org.tw
4.
Recently
,
transition
metal
oxide
catalysts
used
for
oxidation
of CO
and
hydrocarbons
at
low temperature
have
attracted
much
attention
.
目前
,
非
贵金属
类
的
过渡
金属
氧化物
催化剂
用于
CO
和
烃
类
的
低温
氧化
受到了
广泛
关注
。
www.jchemindustry.com
5.
These
tiny
semiconductors
inject
electrons
into
a
metal
oxide
film
,
or
"
sensitize"
it
, to
increase
solar energy
conversion
.
这些
微小
的
半导体
把
电子
注入
到
金属
氧化物
薄膜
中
,
或者
说
把
它
“
敏
化
”
,
从而
增强
太阳能
转换
。
chinese.eurekalert.org
6.
The
metal
oxide
particles
are preferably incorporated
into
the
emulsion
in
the
form
of
an
aqueous
dispersion
.
金属
氧化物
颗粒
优选
以
含
水
分散
体
的
形式
加入
到
乳液
中
。
ip.com
7.
and
a
metal
oxide
layer
,
the
metal
oxide
layer
being
formed
between
the
channel
layer
and
the
source
and the
drain
.
以及
金属
氧化物
层
,
该
金属
氧化物
层
在
该
沟
道
层
与
该
源
极
和
该
漏
极
之间
形成
。
ip.com
8.
The invention relates to
a
manufacture
method
of
a
trench
type
metal
-
oxide
semiconductor
device
.
一种
沟道
式
金属
氧化物
半导体
元件
的
制作
方法
,
其
特征
在于
包括
:
提供
一
基
板
;
ip.com
9.
The germanium
oxide
layer
and
the
metal
oxide
layer
are
converted into a first dielectric
layer
.
将
半导体
氧化
层
与
金属
氧化物
层
转化
成
一
第一
介
电
层
。
ip.com
10.
Provided
is
a
complementary
metal
oxide
semiconductor
(
CMOS
)
device
and
a
method
of
manufacturing
the same
.
本
发明
提供
了
一种
互补
金属
氧化物
半导体
(
CMOS
)
装置
及其
制造
方法
。
ip.com
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